【转帖】SK海力士预测存储未来:3DNAND600层以上,DRAM10nm以下 在最近的IEEE国际可靠性物理研讨会上,SK海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK海力士认为,通过将层数增加到600层以上,可以继续提高3DNAND的容量。此外,该公司有信心借助极紫外(EUV)光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下,以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中,以应对不断增加的工作负载。
发布时间:2026-03-03 12:04:56文章来源:河南成人高考招生教育信息网
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